GaAs 기판
설명
갈륨비소(GaAs)는 중요하고 성숙한 III-Ⅴ족 화합물 반도체로, 광전자공학 및 마이크로전자공학 분야에서 널리 사용됩니다.GaAs는 크게 반절연성 GaAs와 N형 GaAs로 구분됩니다.반절연 GaAs는 레이더, 마이크로파, 밀리미터파 통신, 초고속 컴퓨터, 광섬유 통신에 사용되는 MESFET, HEMT, HBT 구조의 집적회로를 만드는 데 주로 사용된다.N형 GaAs는 주로 LD, LED, 근적외선 레이저, 양자우물 고출력 레이저, 고효율 태양전지 등에 사용된다.
속성
| 결정 | 도핑된 | 전도 유형 | 흐름 농도 cm-3 | 밀도 cm-2 | 성장 방법 |
| GaAs | 없음 | Si | / | <5×105 | LEC |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs 기판 정의
GaAs 기판은 갈륨비소(GaAs) 결정 물질로 만들어진 기판을 말한다.GaAs는 갈륨(Ga)과 비소(As) 원소로 구성된 화합물 반도체이다.
GaAs 기판은 우수한 특성으로 인해 전자 및 광전자 공학 분야에서 자주 사용됩니다.GaAs 기판의 주요 특성은 다음과 같습니다.
1. 높은 전자 이동도: GaAs는 실리콘(Si)과 같은 다른 일반적인 반도체 재료보다 전자 이동도가 높습니다.이러한 특성으로 인해 GaAs 기판은 고주파 고전력 전자 장비에 적합합니다.
2. 다이렉트 밴드 갭(Direct Band gap): GaAs는 다이렉트 밴드 갭을 가지고 있는데, 이는 전자와 정공이 재결합할 때 효율적인 발광이 일어날 수 있음을 의미합니다.이러한 특성으로 인해 GaAs 기판은 발광 다이오드(LED) 및 레이저와 같은 광전자 응용 분야에 이상적입니다.
3. 넓은 밴드갭: GaAs는 실리콘보다 밴드갭이 넓어 더 높은 온도에서 작동할 수 있습니다.이 특성을 통해 GaAs 기반 장치는 고온 환경에서 보다 효율적으로 작동할 수 있습니다.
4. 저잡음: GaAs 기판은 저잡음 수준을 나타내므로 저잡음 증폭기 및 기타 민감한 전자 응용 분야에 적합합니다.
GaAs 기판은 고속 트랜지스터, 마이크로파 집적 회로(IC), 광전지, 광자 검출기 및 태양 전지를 포함한 전자 및 광전자 장치에 널리 사용됩니다.
이러한 기판은 MOCVD(금속 유기 화학 기상 증착), MBE(분자선 에피택시) 또는 LPE(액상 에피택시)와 같은 다양한 기술을 사용하여 준비할 수 있습니다.사용되는 특정 성장 방법은 원하는 응용 분야와 GaAs 기판의 품질 요구 사항에 따라 달라집니다.
